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1

3.1.3

3.1.3 

#3.1.3（增加“#”）

2

3.2.3

#3.2.3具有消除二次放電系統(tǒng)，配備鉑質屏蔽矩，真實接地徹底杜絕二次放電，同時精確控制離子能量1 eV以內（須提供屏蔽矩實物圖），否則視為負偏離。若是虛擬接地，須配2套射頻線圈以備更換；

3.2.3具有消除二次放電系統(tǒng)，配備鉑質屏蔽矩；或者采用虛擬接地技術，接地徹底杜絕二次放電；

3

3.3.1

3.3.1接口：鎳質采樣錐和截取錐組成主流雙錐接口設計，錐數(shù)量≤2個。具有≤1.0 mm的采樣錐孔、≤0.50 mm的截取錐孔，減少高基體樣品進入儀器真空腔，保證質譜系統(tǒng)的長期穩(wěn)定性，減少真空腔內的維護。錐上不得施加任何電壓，采樣錐和截取錐之間不得通入任何氣體；

3.3.1接口：鎳質采樣錐和截取錐組成主流雙錐接口設計。具有≤1.1 mm的采樣錐孔、≤0.80 mm的截取錐孔，減少高基體樣品進入儀器真空腔，保證質譜系統(tǒng)得長期穩(wěn)定性，減少真空腔內的維護；

4

3.4.1

#3.4.1配備碰撞反應池，八極桿設計，碰撞反應池具有溫控功能，保證運行穩(wěn)定性并能有效耐污染，池內溫度范圍50~95 ℃，0.1℃連續(xù)可調，須提供池溫控軟件截圖證明；

#3.4.1配備碰撞反應池，碰撞反應池具有溫控功能，保證運行穩(wěn)定性并能有效耐污染，池內溫度范圍50~95 ℃，0.1℃連續(xù)可調，須提供池溫控軟件截圖證明；

5

3.6.1

3.6.1 脈沖模擬雙模式電子倍增器，且為正交設計即待測離子通過四極桿質濾器后，偏轉90度再進入檢測器，須提供檢測器實物圖證明；

3.6.1 脈沖模擬雙模式或者全數(shù)字電子倍增器，且為正交設計即待測離子通過四極桿質濾器后，再進入檢測器，須提供檢測器實物圖證明；

6

3.6.2

3.6.2

#3.6.2（增加“#”）

7

4.2

#4.2 檢出限：9Be ≤ 0.2 ppt，115In ≤ 0.1ppt，209Bi ≤ 0.1ppt（提供官方性能指標出版彩頁證明）；

#4.2 檢出限：9Be ≤ 0.5 ppt，115In ≤ 0.1ppt，209Bi ≤ 0.1ppt (提供官方性能指標出版彩頁證明)；